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石墨烯晶体生长炉

【产品名称】石墨烯晶体生长炉

【额定温度】1200℃

【控温精度】±1℃ 

【应用领域】高质量石墨烯的可控制备是各种基础研究和应用开发的基础,是迫切需要进行深入研究的重大基础科学问题之一。石墨烯的可控制备涉及到对其大小、形貌、边界、晶体结构的完美程度、掺杂等方面的控制。本设备以化学气相沉积方法(CVD)生长石墨烯,大尺寸石墨烯产品的制备,炉管管径200mm,加热区2000mm,12个温区多段控制,计算机DCS集成控制,温场梯度控制,温场稳定,均匀,产成品高。

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商品描述

【产品名称】石墨烯晶体生长炉

【额定温度】1200℃

【控温精度】±1℃ 

【应用领域】高质量石墨烯的可控制备是各种基础研究和应用开发的基础,是迫切需要进行深入研究的重大基础科学问题之一。石墨烯的可控制备涉及到对其大小、形貌、边界、晶体结构的完美程度、掺杂等方面的控制。本设备以化学气相沉积方法(CVD)生长石墨烯,大尺寸石墨烯产品的制备,炉管管径200mm,加热区2000mm,12个温区多段控制,计算机DCS集成控制,温场梯度控制,温场稳定,均匀,产成品高。


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