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1200℃-PECVD管式炉系统

CVD管式炉

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【产品名称】1200℃-PECVD管式炉系统【炉管尺寸】φ40--φ100mm【加热区】300mm/440mm 【额定温度】1200℃【控温精度】±1℃ 【应用领域】PECVD系统（等离子增强化学气相沉积系统）由管式炉、真空获得、流量控制和射频电源四大模块组成，本设备借助13.56Mhz的射频输出使含有薄膜组成原子的气体电离，在真空腔体内形成等离子体，利用等离子的强化学活性，改善反应条件，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术，最终得到基片上沉积出所期望的薄膜。
1700℃-CVD管式炉

CVD管式炉

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【产品名称】1700℃-CVD管式炉【炉管尺寸】φ25--φ120mm【加热区】300mm 【额定温度】1700℃【控温精度】±1℃ 【应用领域】化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。
1200℃-CVD梯度管式炉

CVD管式炉

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【产品名称】1200℃-CVD梯度管式炉【炉管尺寸】φ25--φ120mm【加热区】300mm+300mm 【额定温度】1200℃【控温精度】±1℃ 【应用领域】化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。
1400℃-CVD管式炉

CVD管式炉

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【产品名称】1400℃-CVD管式炉【炉管尺寸】φ25--φ120mm【加热区】300mm 【额定温度】1400℃【控温精度】±1℃ 【应用领域】化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。
1200℃-CVD管式炉

CVD管式炉

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【产品名称】1200℃-CVD管式炉【炉管尺寸】φ25--φ120mm【加热区】300mm 【额定温度】1200℃【电源电压】AC220V/50Hz 【控温精度】±1℃ 【应用领域】化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。

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